Thứ hai, 22/04/2024 | 16:00 GMT+7

Toshiba thêm các thiết bị có công suất 6, 8 và 10A vào đi-ốt Schottky

28/10/2013

Vào ngày 24 tháng 10 năm 2013, công ty điện tử Toshiba Hoa Kỳ (Irvine, CA, Hoa Kỳ) đã thông báo về việc mở rộng các dòng sản phẩm đi-ốt Schottky làm từ silic cacbua có công suất 650V.

ec5de0c56_images.jpgVào ngày 24 tháng 10 năm 2013, công ty điện tử Toshiba Hoa Kỳ (Irvine, CA, Hoa Kỳ) đã thông báo về việc mở rộng các dòng sản phẩm đi-ốt Schottky làm từ silic cacbua có công suất 650V.

Mức áp thuận thấp và chuyển mạch nhanh là hai ưu điểm nổi trội làm cho Đi-ốt Schottky phù hợp với các bộ xử lý điện của hệ thống sản xuất năng lượng mặt trời, bộ biến tần quang năng, máy biến đổi dòng một chiều DC-DC và máy cung cấp điện liên tục.

Đi-ốt Schottky có thể thay thế cho các đi-ốt silic

Đi-ốt Schottky có thể đáp ứng được các nhu cầu đa dạng của thị trường đối với các thiết bị kết nối nhỏ và phù hợp dành cho  các thiết bị điện quang năng, các ứng dụng trong nhiều ngành công nghiệp và các hệ thống máy móc tự động.

Toshiba lên tiếng khẳng định rằng thiết bị điện tử này hoàn toàn có khả năng thay thế cho các đi-ốt silic, nhất là trong các thiết bị cung cấp điện đảo mạch.

Toshiba mở rộng các dòng sản phẩm đi-ốt Schottky để đáp ứng nhu cầu đang tăng cao của thị trường

Các thiết bị điện tử TRS6E65C, TRS8E65C và TRS10E65C lần lượt có công suất là 6, 8 và 10A. Các đi-ốt Schottky này hiện đã gia nhập vào gia đình các thiết bị 12A của Toshiba, trong đó TRS12E65C đã tham gia sản xuất điện trong quý 2 năm 2013.

Theo công ty cho biết, các thiết bị điện năng SiC còn giúp giảm hao tổn nhiệt năng trong quá trình hoạt động. 

Thanh Thảo (Theo Solarserver.com)