[In trang]
Chế tạo bộ nhớ tiêu tốn ít năng lượng từ các ống nano
Thứ tư, 18/09/2013 - 09:41
Các nhà khoa học đã chế tạo ra một "đối thủ" của bộ nhớ flash. Bộ nhớ mới này chỉ yêu cầu năng lượng bằng 1% bộ nhớ flash, giúp nâng cao vòng đời của pin điện thoại di động.
Các nhà khoa học đã chế tạo ra một "đối thủ" của bộ nhớ flash. Bộ nhớ mới này chỉ yêu cầu năng lượng bằng 1% bộ nhớ flash, giúp nâng cao vòng đời của pin điện thoại di động.

Một loại bộ nhớ không khả biến mới được tạo ra từ các ống nano cácbon đòi hỏi ít điện năng hơn công nghệ hiện hành. Loại bộ nhớ này sử dụng các ống nano để đọc và ghi dữ liệu lên các vật liệu đảo pha nhỏ, nơi lưu trữ thông tin. Với bước tiến này, công nghệ mới sẽ có thể làm tăng tuổi thọ của pin điện thoại di động và khiến màn hình máy tính hiệu quả hơn. Bộ nhớ không khả biến có khả năng lưu trữ thông tin ngay cả khi bị tắt nguồn điện. Khả năng dựa trên công nghệ cơ bản của bộ nhớ flash, được sử dụng trong điện thoại thông minh, máy quay, thẻ nhớ, và các máy tính nhỏ khởi động nhanh. Tuy nhiên, mật độ lưu trữ của bộ nhớ flash đang đạt tới giới hạn của nó vì các bóng bán dẫn được sử dụng để tạo ra các bảng bộ nhớ này không thể được thu nhỏ thêm nữa. Năng lượng cần thiết để ghi dữ liệu cũng làm hạn chế tốc độ và làm tiêu hao pin trong các thiết bị cầm tay.
 
b9186f7c5_minh_images.jpg

Giáo sư kỹ thuật điện và khoa học vi tính thuộc Đại học Illinois, tại Urbana - Champaign, Eric Pop cùng các cộng sự đã chế tạo ra bộ nhớ bất khả biến mới có thể lưu nhiều dữ liệu hơn bộ nhớ flash đồng thời đòi hỏi ít năng lượng hơn. Một vài giải pháp thay thế cho bộ nhớ flash đang được nghiên cứu phát triển. Giải pháp gần nhất với sản phẩm thương mại hóa là bộ nhớ đảo pha. Các bit- vật liệu nhớ trong bộ nhớ đảo pha là các vật liệu nhỏ, gọi là chacolgen. Chacolgen sẽ chuyển từ trạng thái thủy tinh sang trạng thái của pha lê khi được gia nhiệt nhanh.  Hai pha này có điện trở khác nhau, biểu hiện cho 2 giá trị số nhị phân “1” và “0”. Các bít này được đọc bằng cách đưa một dòng điện nhỏ xuyên qua một điện cực đọc điện trở. Trong khi bộ nhớ đảo pha có mật độ dày đặc hơn bộ nhớ flash, phần lớn nó vẫn đòi hỏi năng lượng tương đối cao. Hạn chế truyền thống của bộ nhớ đảo pha là cần phải gia nhiệt để đổi pha.
 
Thiết bị do Pop và cộng sự thiết kế đã giải quyết được vấn đề tiêu thụ điện năng bằng cách cho phép thu nhỏ hơn nữa các bit đảo pha. Bit vật liệu chalcogen càng nhỏ, càng đòi hỏi ít năng lượng để gia nhiệt và thay đổi pha.
 
Theo TechnologyReview.com