Kỷ lục thế giới mới về hiệu suất cho pin mặt trời màng mỏng silic
Thứ ba, 09/07/2013 - 09:14
Viện Kỹ thuật micro EPFL (IMT) đã đạt được hiệu suất đáng nể 10,7% đối với pin mặt trời vi tinh thể silic một lớp tiếp xúc.
Viện Kỹ thuật micro EPFL (IMT) đã đạt được hiệu suất đáng nể 10,7% đối với pin mặt trời vi tinh thể silic một lớp tiếp xúc. Vượt khá rõ so với kỷ lục trước đây là 10,1% của công ty Nhật Kaneka đạt được năm 1998. Hiệu suất này đã được xác nhận độc lập bởi Viện Fraunhofer về Hệ thống năng lượng mặt trời, Đức.
Simon Hanni, nghiên cứu sinh ở IMT cho biết: "Hiểu biết sâu về chất lượng vật liệu đã đạt được những năm gần đây, thiết kế pin, bẫy ánh sáng hiệu quả, cộng thêm với sự tối ưu hóa quy trình dẫn đến hiệu suất tuyệt với này".
Quan trọng nữa là quy trình có thể scale-up tới mức cả một mo đun. Trong khi công nghệ quang điện dựa trên bánh (wafer) tinh thể silic sử dụng các lớp hấp thụ với bề dày khoảng 180 micron cho một mo đun với hiệu suất chuyển đổi từ 15% đến 20% thì hiệu suất 10,7% ở đây đạt được với bề dày chỉ có 1,8 micro, nghĩa là 100 lần mỏng hơn công nghệ truyền thống và nhiệt độ chế tạo pin không bao giờ vượt quá 200 độ C.
Rõ ràng là công nghệ màng mỏng silic cho những ưu điểm tiết kiệm nguyên liệu thô và thời gian bù năng lượng ngắn. Cho nên giá sản xuất chỉ thấp cỡ 35 euro/m2, giá này là cỡ ngói lợp nhà chuẩn.
Về Phòng thí nghiệm Quang điện của IMT: thành lập năm 1984 bởi giáo sư Arvind Shah và hiện tại đang được dẫn dắt bởi Giáo sư Christophe Ballif, phòng thí nghiệm nổi tiếng đi tiên phong trong việc phát triển pin màng mỏng silic (TF-Si PV) và sử dụng silic vi tinh thể làm vật liệu hoạt quang trong các thiết bị TF-Si PV.
Lê My Theo Sciencedaily